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什么是IGBT？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET則驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大、載流密度小。而IGBT則兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的兩方面優(yōu)點(diǎn)。

IGBT由VOMOS及BJT組成。VOMOS是V型場(chǎng)效應(yīng)管，電壓驅(qū)動(dòng)器件，輸入阻抗高但輸入電容大，IGBT是VOMOS在前BJT在后，在高壓大電流應(yīng)用時(shí)，后級(jí)的BJT壓降小、導(dǎo)通電阻的效率高，非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)就是大功率的開(kāi)關(guān)器件。

半導(dǎo)體生產(chǎn)不論是前道還是后道都需要用到一種設(shè)備，X射線實(shí)時(shí)在線成像設(shè)備，通過(guò)X射線的成像原理準(zhǔn)確的檢測(cè)出缺陷，提升良品率等。

針對(duì)半導(dǎo)體器件X射線檢測(cè)需求，日聯(lián)科技推出了一款在線式設(shè)備——LX2000。設(shè)備外形美觀、檢測(cè)區(qū)域大、分辨率強(qiáng)、放大倍率高，系統(tǒng)采用封閉式射線源和平板探測(cè)器作為核心部件，具備良好的檢測(cè)效果。

先進(jìn)的IGBT技術(shù)加上高效的檢測(cè)手段，勢(shì)必能為高效節(jié)能、節(jié)材，為新能源、工業(yè)自動(dòng)化(高頻電焊機(jī), 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應(yīng)加熱)提供了新的商機(jī)。

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